D類音頻放大器參考設計(EPC9192)讓模塊化設計具有高功率和高效,從而可實現全定制、高性能的電路設計。宜普電源轉換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設計,可實現優越、緊湊型和高效的D類音頻放大器,于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設計中發揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優勢,在4Ω負載時,每聲道輸出功率達700 W。EPC9192是可擴展的模塊化設計,其主板配有兩個PWM調制器和兩個半橋功率級子板,實現具備輔助管理電源和保護功能的雙通道放大器。這種設計的靈活性高,使
關鍵字:
GaN FET D類音頻放大器
Cascode GaN FET 動態測試面臨的挑戰 Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場,因為它可以提供常關操作并具有更寬的柵極驅動電壓范圍。然而,電路設計人員發現該器件在實際電路中使用起來并不那么容易,因為它很容易發生振蕩,并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人員在電路中使用大柵極電阻時必須減慢器件的運行速度,這降低了使用快速 GaN 功率器件的優勢。圖 1 顯示了關斷時的發散振蕩。圖 2 顯示了導通時的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
關鍵字:
氮化鎵 FET
全球增強型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領域的領導者宜普電源轉換公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導通電阻的GaN FET,與EPC的上一代產品相比,其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm,采用耐熱QFN封裝,頂部裸露,封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過五倍。憑借超低導通電阻
關鍵字:
EPC 1mΩ 導通電阻 GaN FET
激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車輛、無人機、倉庫自動化和精準農業。在這些應用中,大多都有人類參與其中,因此人們擔心 LiDAR 激光可能會對眼睛造成傷害。為防止此類傷害,汽車 LiDAR 系統必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求,同時發射功率不超過 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖,重復頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰性,因為需要使用微控制器或其他大型數字集成電路 (IC) 來控制激光二極管,但又不能直接驅動它,這樣就必須增加一個柵極
關鍵字:
自主駕駛 LiDAR GaN FET
中國 北京,2024 年 1 月 30 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布一款符合車規標準的碳化硅(SiC)場效應晶體管(FET)產品;在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實現業界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產品,導通電阻值最高可達 60mΩ,非常適合車載充電器、DC/DC 
關鍵字:
Qorvo SiC FET 電動汽車
宜普電源轉換公司(EPC)推出三款激光驅動器電路板,這些板采用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉換的GaN FET以實現具備卓越性能的激光雷達系統。EPC推出三款評估板,分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180,它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅動器和通過車規級AEC-Q101認證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長距離和
關鍵字:
EPC GaN FET 激光二極管
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件,該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝,為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經過二十多年的辛勤耕耘,Nexperia在提供大規模、高質量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業知識,如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯氮化鎵場效應管(GaN FET),Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ(典型值)的氮化鎵場效應管,采用CCP
關鍵字:
Nexperia SMD CCPAK GaN FET
由于半導體生物傳感器的低成本、迅速反應、檢測準確等優點,對于此類傳感器的研究和開發進行了大量投入。特別是基于場效應晶體管 (FET) 的生物傳感器或生物場效應管,它們被廣泛用于各種應用:如生物研究,即時診斷,環境應用,以及食品安全。生物場效應管將生物響應轉換為分析物,并將其轉換為可以使用直流I-V技術輕松測量的電信號。輸出特性 (Id-Vd)、傳輸特性 (Id-Vg) 和電流測量值相對于時間 (I-t) 可以與分析物的檢測和幅度相關。根據設備上的終端數量,可以使用多個源測量單元(SMU) 輕松完成這些直流
關鍵字:
泰克科技 FET 生物傳感器
基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設計顯著提高了電機驅動系統的效率、扭矩而同時使得單位重量功率(比功率)增加了一倍以上。該逆變器非常微型,可集成到電機外殼中,從而實現最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉換公司宣布推出三相BLDC電機驅動逆變器參考設計(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V,可提供高達60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機驅動器,包括電動自行車、電動滑板車、無人
關鍵字:
EPC GaN FET 電機驅動器
1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN(氮化鎵)功率半導體領域的全球領先企業,致力于設計和制造用于新世代電力系統的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V( 目前處于開發階段)氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專利,氮化鎵器件為單一業務。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業模式運營的上市公司,這意味著在器件開發的每個關鍵階段,我們均能做到自主可控和創新——包括GaN HEMT 器件設計、外延片材料、晶圓制程工藝,直至最終氮化鎵場效應晶體管芯片。
關鍵字:
202310 SuperGaN 氮化鎵 GaN Transphorm
最先進的電子硬件在大數據革命面前都顯得有些“捉襟見肘”,這迫使工程師重新思考微芯片的幾乎每一個方面。隨著數據集的存儲、搜索和分析越來越復雜,這些設備就必須變得更小、更快、更節能,以跟上數據創新的步伐。鐵電場效應晶體管(FE-FETs)是應對這一挑戰的最有趣的答案之一。這是一種具有鐵電性能的場效應晶體管。它利用鐵電材料的非易失記憶性質,在其中植入場效應和電荷積累,實現了長期穩定的記憶效應。與傳統存儲器相比,它具有低功耗、高速度、高密度等優勢。因此,一個成功的FE-FET設計可以大大降低傳統器件的尺寸和能量使
關鍵字:
半導體芯片 FE-FET
加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統的未來, 氮化鎵(GaN)功率轉換產品的全球領先供應商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)發布了一款高性能、低成本的驅動器解決方案。這款設計方案面向中低功率的應用,適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦,加強了公司在這個30億美元電力市場客戶的價值主張。 不同于同類競爭的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅動器或柵極保護器件的電平移位電路,Transphorm 的 SuperG
關鍵字:
Transphorm SuperGaN FET 驅動器
碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實現能夠保持高功率密度的晶體管,但需要使用低熱阻封裝,比如 TO-247。然而,此類封裝的連接往往會導致較高的電感。閱讀本博文,了解如何謹慎使用開爾文連接技術以解決電感問題。這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發布,該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商,它的加入促使 Qorvo 將業務擴展到電動汽車 (EV)、工業電源、電路保護、
關鍵字:
Qorvo 開爾文 FET
基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設計增強了高功率應用的電機系統性能、精度、扭矩和可實現更長的續航里程。宜普電源轉換公司(EPC)新推EPC9186,這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅動逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動滑板車、小型電動汽車、農業機械、叉車和大功率無人機等應用。EPC9186在每個開關位置使用四個并聯的EPC2302,可提供高達200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關鍵功能電路
關鍵字:
EPC GaN FET ARMS 電機驅動器
supergan fet介紹
您好,目前還沒有人創建詞條supergan fet!
歡迎您創建該詞條,闡述對supergan fet的理解,并與今后在此搜索supergan fet的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473